CL設置，內存條的cl設置是什么

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1，內存條的cl設置是什么

我來告訴你: CL叫做“延遲”，是越小越好，但是對于使用沒有明顯的感覺。 CL=2說明內存的延遲是2個CPU周期，CL=3就是3個CPU周期。

2，計算機中的CL是什么意思cl或許是電子學

CL設置是計算機中專業術語，一定程度上反映出了該內存在CPU接到讀取內存數據的指令后，到正式開始讀取數據所需的等待時間。

是ctrl鍵，不是化學符號！

你這個詞出現在什么地方的？寄存器的名？

3，怎么調高BIOS里面的內存的CL值

CL（CAS Latency）：為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。CL值越低越快，一般設置在2-3之間為好，可以在開機時按DEl鍵，然后進入高級芯片組功能設置（Advanced Chipset Features）的內存設置（DRAM Configuration）設置就行了（具體主板可能各有不同）

4，如何修改BIOS中的內存CL值

內存延遲表示系統進入數據存取操作就緒狀態前等待內存相應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數字來表示，例如“3-4-4-8”。其中第一個數字表示內存讀取數據所需的延遲時間（CAS Latency），即我們常說的CL值；第二個數字表示從內存行地址到列地址的延遲時間（tRCD）；第三個數字表示內存行地址控制器預充電時間（tRP），即內存從結束一個行訪問到重新開始的間隔時間；第四個數字表示內存行地址控制器激活時間（tRAS）。一般來說，這4個數字越小，表示內存性能越好。 FSB(或是FrontSideBus,前端總線)是超頻最容易和最常見的方法之一。 CL值和FSB都是CMOS中的一項設置內容，在主流的主板中都有設置選項。具體如何設置，請參見主板說明書。

5，在BIOS里怎么把CL 值調低

一般DDR 一代的內存默認 CL 是 3 ， DDR2 CL 是 6 ， DDR3 CL 是9 。 CL 越低越好。 CL 可以到BIOS 里調試，如果內存質量好的話， CL 可以適當降低點，質量差，兼容性差的內存建議不要更改CL，因為這個對內存有損傷。具體調試方法：這里以Award BIOS 為準來說明具體的更改方法（不同的BIOS 有不同的方法）首先開機按 DEL 鍵進入BIOS。找到Advanced Chipset Features (高級芯片組特性）再找到 CAS Latency (簡稱CL）然后在這里修改你要更改的數值。 ` 一部分主板的BIOS 的內存CL設置是在 BIOS 里的 MB Intelligent Tweaker (M.I.T 頻率/電壓控制）里面，然后再找到 DRAM Configuration 把這項先打開才能設置。再找到CAS# Latency 設置CL 值，設置好以后，按F10保存退出。 ` 回答希望能夠幫到您！寶寶丶嗨情歌原創！抄襲可恥！希望您能夠滿意！謝謝！

新聞名稱：CL設置，內存條的cl設置是什么
標題來源：http://m.kartarina.com/article0/isisoo.html

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